✔Samsung поделилась первыми деталями о памяти стандартов DDR6, DDR6+ и GDDR7 - «Новости сети»

20 ноября 2021 956 Новости / Новости мира Интернет 0

Источник изображения: VideoCardz

Поскольку Samsung является членом JEDEC, она уже может назвать предполагаемые технические характеристики DDR6, спецификации которой находятся в разработке и могут быть утверждены к 2024 году. По словам южнокорейского производителя, скорость работы у нового стандарта ОЗУ должна возрасти до 12800 МТ/с, а с разгоном этот показатель может повыситься и до 17000 МТ/с. В DDR6 произойдёт удвоение внутренних каналов и банков памяти относительно DDR5.

Источник изображения: Computer Base

Что касается энергоэффективной памяти Low Power DDR (LPDDR) для мобильных устройств, то Samsung в настоящий момент работает над микросхемами LPDDR5 со скоростью до 6400 МТ/с и LPDDR5X со скоростью до 8500 МТ/с. Второй стандарт южнокорейский производитель анонсировал на прошлой неделе. Массовое производство памяти LPDDR5X на техпроцессе 1a компания начнёт со следующего года. По словам Samsung, память будущего стандарта LPDDR6 сможет предложить скорость до 17 000 МТ/с и будет до 20 % более энергоэффективными по сравнению с LPDDR5X.

Рассказала Samsung и о планах относительно текущего поколения графической памяти GDDR6. Как передаёт Computer Base, компания собирается начать производство чипов по техпроцессу 1z и повысить у них пропускную способность до 24 Гбит/с. Обновлённые чипы могут получить обозначение GDDR6+. Сроки доступности не называются. В более отдалённой перспективе также рассматривается выпуск нового стандарта видеопамяти GDDR7 со скоростью до 32 000 МТ/с. А одной из её особенностей станет поддержка функции коррекции ошибок в реальном времени. Правда, никаких подробностей на этот счёт производитель не указал.

В прошлом месяце компания SK hynix сообщила о завершении разработки чипов памяти HBM3 со скоростью до 819 Гбайт/с, которые появится в новых продуктах в следующем году. Samsung тоже работает в этом направлении. Производитель заявил о разработке памяти HBM3 со скоростью передачи в 800 Гбайт/с, а также о переходном поколении HBM2E со скоростью передачи до 450 Гбайт/с. Массовый выпуск памяти HBM3 производитель начнёт во втором квартале будущего года.

На мероприятии Samsung Tech Day 2021 южнокорейский производитель рассказал о том, чего стоит ожидать на рынке памяти в будущем. Участие в мероприятии принял ресурс Computer Base, который поделился услышанным. Источник изображения: VideoCardz Поскольку Samsung является членом JEDEC, она уже может назвать предполагаемые технические характеристики DDR6, спецификации которой находятся в разработке и могут быть утверждены к 2024 году. По словам южнокорейского производителя, скорость работы у нового стандарта ОЗУ должна возрасти до 12800 МТ/с, а с разгоном этот показатель может повыситься и до 17000 МТ/с. В DDR6 произойдёт удвоение внутренних каналов и банков памяти относительно DDR5. Источник изображения: Computer Base Что касается энергоэффективной памяти Low Power DDR (LPDDR) для мобильных устройств, то Samsung в настоящий момент работает над микросхемами LPDDR5 со скоростью до 6400 МТ/с и LPDDR5X со скоростью до 8500 МТ/с. Второй стандарт южнокорейский производитель анонсировал на прошлой неделе. Массовое производство памяти LPDDR5X на техпроцессе 1a компания начнёт со следующего года. По словам Samsung, память будущего стандарта LPDDR6 сможет предложить скорость до 17 000 МТ/с и будет до 20 % более энергоэффективными по сравнению с LPDDR5X. Рассказала Samsung и о планах относительно текущего поколения графической памяти GDDR6. Как передаёт Computer Base, компания собирается начать производство чипов по техпроцессу 1z и повысить у них пропускную способность до 24 Гбит/с. Обновлённые чипы могут получить обозначение GDDR6 . Сроки доступности не называются. В более отдалённой перспективе также рассматривается выпуск нового стандарта видеопамяти GDDR7 со скоростью до 32 000 МТ/с. А одной из её особенностей станет поддержка функции коррекции ошибок в реальном времени. Правда, никаких подробностей на этот счёт производитель не указал. В прошлом месяце компания SK hynix сообщила о завершении разработки чипов памяти HBM3 со скоростью до 819 Гбайт/с, которые появится в новых продуктах в следующем году. Samsung тоже работает в этом направлении. Производитель заявил о разработке памяти HBM3 со скоростью передачи в 800 Гбайт/с, а также о переходном поколении HBM2E со скоростью передачи до 450 Гбайт/с. Массовый выпуск памяти HBM3 производитель начнёт во втором квартале будущего года.

Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.

Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.

Есть вопросы. Напишите нам.

Общие правила поведения на сайте.