✔Intel завершила сборку второй литографической системы класса High-NA EUV - «Новости сети»

Для серийного выпуска чипов по технологии Intel 14A одноимённой компании потребуется несколько литографических сканеров ASML с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV), и вторая из полученных ею систем этого класса недавно была успешно собрана и установлена в Орегоне, как стало известно на днях. Источник изображения: ASML По сути, о начале монтажа второго литографического сканера ASML такого класса стало известно ещё в начале августа, но процесс удалось завершить только недавно. По данным TrendForce, директор Intel по литографическому оборудованию Марк Филипс (Mark Phillips) даже заявил, что первые итоги испытаний данного оборудования превосходят ожидания компании. Вторую систему класса High-NA EUV производитель процессоров собрал и установил быстрее, чем первую. По словам Филипса, почти вся необходимая для начала выпуска чипов с использованием данного оборудования инфраструктура готова, и сейчас компания приступила к инспекции фотомасок, которые будут применяться совместно с этим оборудованием. К выпуску чипов Intel сможет приступить с минимальными усилиями. Понятно, что в ближайшие месяцы это будет опытное производство, которое масштабируется до серийного не ранее 2026 года. Как добавил представитель Intel, для освоения массового производства чипов по технологии 14A компании могут потребоваться новые типы фоторезистивных составов, но к 2026–2027 году они появятся в достаточных количествах. Тайваньская компания TSMC, которая до сих пор публично демонстрировала отсутствие у неё стремления в сжатые сроки освоить литографию класса High-NA, свой первый литографический сканер такого типа получила ещё в прошлом месяце. Южнокорейская Samsung Electronics хоть и заинтересована в покупке у ASML такого оборудования, после недавних кадровых изменений готовится уменьшить объёмы закупок по сравнению с изначальными планами. По всей видимости, роль такого оборудования в технологическом развитии Samsung была пересмотрена в сторону ослабления.